【摘要】 本发明提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该芯片包括衬底，在衬底的底面蒸镀有反射膜，该反射膜包括电介质反射膜和金属反射膜，电介质反射膜蒸镀在衬底和金属反射膜之间；本发明还提供该氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括：将芯片的衬底减薄，再在该衬底的底面蒸镀上述反射膜，提高氮化镓基发光二极管芯片的光取出效率；该制作方法还可包括以下步骤：在上述反射膜的底面蒸镀散热层，或者在衬底和反射膜的周围以及反射膜的底面电镀散热层，以提高该发光二极管的稳定性，最终提高其外部发光效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】普光科技(广州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】510530 广东省广州市广州经济技术开发区东区骏功路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】黄埔区 【申请号】CN200810055710.9 【申请日】2008-01-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101197417B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101197417B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/10 【发明人】陈国聪; 王孟源 【主权项内容】一种氮化镓基发光二极管芯片，包括衬底，所述衬底的厚度为60～130μm，所述衬底的底面设有反射膜，所述反射膜包括电介质反射膜和金属反射膜，该电介质反射膜设在所述衬底的底面，该金属反射膜设在电介质反射膜的底面，所述电介质反射膜为全方向反射镜或分布式布拉格反射镜，其特征在于，所述全方向反射镜或分布式布拉格反射镜都为在衬底底面依次交替设置的二氧化钛和二氧化硅。 【当前权利人】浙江亚威朗科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市海盐经济开发区杭州湾大桥新区01省道、B7道路东 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91440113718199266F 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】24
