【摘要】 本发明涉及一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底及沉积于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层、发光层及P型层，P型层的上表面设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层，且该高反射层包括由高折射率材料与低折射率材料周期性排列而成的光子晶体层及位于光子晶体层背面的低折射率材料层。本发明能有效地提高器件的出光效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】中山大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510275 广东省广州市新港西路135号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】海珠区 【申请号】CN200810027281.4 【申请日】2008-04-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257077B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257077B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/46 【发明人】王钢; 招瑜 【主权项内容】一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底(1)及沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层(3)、发光层(4)及P型层(5)，P型层(5)的上表面设置有P型电极(6)，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层(3)，露出的部分N型层(3)上设置有N型电极(7)，其特征在于：该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层(2)，且该高反射层(2)包括由高折射率材料(12)与低折射率材料(13)周期性排列而成的光子晶体层(14)及位于光子晶体层(14)背面的低折射率材料层(15)，出光面进行粗化或制作有周期性排列的光子晶体结构。 【当前权利人】中山大学 【当前专利权人地址】广东省广州市新港西路135号 【统一社会信用代码】121000004558631445 【家族被引证次数】15
