【摘要】 本发明公开了一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法。本发明的发光晶体管，在衬底上依次生长着缓冲层、高浓度n型层、本征层、多量子阱层、p型层；缓冲层、高浓度n型层和本征层的外侧依次包裹着氧化物层和金属铝层，在高浓度n型层形成源电极，在p型层上设置着漏电极，栅电极与金属铝层相连。本发明的垂直栅极结构的发光晶体管，栅极区在晶体管侧面外围，形成的沟道均匀，本征层不会形成短沟道效应，耐压性能得到提高。 【专利类型】发明授权 【申请人】华南师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510630 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】天河区 【申请号】CN200810028918.1 【申请日】2008-06-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101299448B 【公开公告日】2010-10-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101299448B 【授权公告日】2010-10-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/06 【发明人】郭志友; 高小奇; 赵华雄; 曾坤; 孙慧卿; 范广涵 【主权项内容】一种垂直栅极结构的发光晶体管，其特征在于：在衬底(9)上依次生长着缓冲层(8)、高浓度n型层(7)、本征层(6)、多量子阱层(3)、p型层(2)；在p型层(2)、多量子阱层(3)和本征层(6)的外侧开有第一凹口(15)，第一凹口(15)上设置着与高浓度n型层(7)相连的源电极(11)；缓冲层(8)、高浓度n型层(7)和本征层(6)的外侧依次包裹着第一氧化物层(4)和第一金属铝层(5)，第一凹口(15)的外侧除外；在p型层(2)和多量子阱层(3)的侧边开有第二凹口(14)，在第二凹口(14)上生长着第二氧化物层(41)，第一氧化物层(4)与第二氧化物层(41)相连；第二氧化物层(41)上面生长着第二金属铝层(51)，第一金属铝层(5)与第二金属铝层(51)相连；第二氧化物层(41)和第二金属铝层(51)与多量子阱层(3)不相连；在p型层(2)上设置着漏电极(1)，在第二金属铝层(51)上设置着栅电极(12)。 【当前权利人】华南师范大学 【当前专利权人地址】广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124400004558589190 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
