【摘要】 本发明公开了一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法。一种金属半导体场效 应发光晶体管，包括衬底和衬底上的缓冲层；包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在 第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层；包括在缓冲层之上的第二高掺杂n 型层，第一高掺杂n型层与第二高掺杂n型层不相连；包括与第二高掺杂n型层欧姆接触 的源电极、与p型层欧姆接触的漏电极；其特征在于缓冲层与第一高掺杂n型层、第二高 掺杂n型层之间还包括低掺杂n型层，在衬底和缓冲层中嵌入了与低掺杂n型层相连的SiO2 层；还包括与SiO2层肖特基接触的栅电极。本发明的金属半导体场效应发光晶体管减少了 刻蚀损伤，使器件性能得到提升。 【专利类型】发明授权 【申请人】华南师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510630广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】天河区 【申请号】CN200810029426.4 【申请日】2008-07-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100590900C 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100590900C 【授权公告日】2010-02-17 【授权公告年份】2010.0 【发明人】郭志友; 曾坤; 赵华雄; 高小奇; 孙慧卿; 范广涵 【主权项内容】1、一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底(10)和衬底(10)上的缓冲层(6)； 包括在缓冲层(6)之上的第一高掺杂n型层(41)及在第一高掺杂n型层(4)之上依次 生长的多量子阱层(3)、p型层(2)；包括在缓冲层(6)之上的第二高掺杂n型层(42)， 第一高掺杂n型层(41)与第二高掺杂n型层(42)不相连；包括与第二高掺杂n型层(42) 欧姆接触的源电极(8)、与p型层(2)欧姆接触的漏电极(1)；其特征在于缓冲层(6) 与第一高掺杂n型层(41)之间以及缓冲层(6)与第二高掺杂n型层(42)之间还包括低 掺杂n型层(5)，在衬底(10)和缓冲层(6)中嵌入了与低掺杂n型层相连的SiO2层(9)； 还包括与SiO2层(9)肖特基接触的栅电极(7)。 【当前权利人】华南师范大学 【当前专利权人地址】广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124400004558589190 【家族被引证次数】TRUE
