【摘要】 本发明公开了一种判定半导体三极管发生BVCEO软击穿的测试方法，以BVCEO的测试条件IC的电流标称值ICEO1作初始条件，测得对应电压VCEO1，然后以电流值ICEO2，作为新增初始条件，测得对应的电压值VCEO2；或以一与所述电压值VCEO1具有一电压差ΔV的电压值VCE作为新增初始条件，测得对应的电流值ICEO2’；用电压值VCEO1与电压值VCEO2的比值与设定的第一标准值进行比较，或者用测得的电流值ICEO2’与设定的第二标准值进行比较。本发明筛选成功率高，有利于质量控制，能够提高检测效率，满足大批量生产要求，同时可以降低生产成本，增加企业竞争力。 【专利类型】发明授权 【申请人】佛山市蓝箭电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】528000 广东省佛山市禅城区佛平路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】佛山市 【申请人区县】禅城区 【申请号】CN200810184515.6 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101419270B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101419270B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R31/26 【发明人】张国光; 谭杰; 杨林; 姚剑锋; 张国俊 【主权项内容】一种判定半导体三极管发生BVCEO软击穿的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将三极管设置在测试电路中，以BVCEO的测试条件IC的电流标称值ICEO1作初始条件，测得对应电压VCEO1，然后以电流值ICEO2作为新增初始条件，测得对应的电压值VCEO2，其中，ICEO2＜ICEO1；；步骤2，用电压值VCEO1与电压值VCEO2的比值VCEO1/VCEO2与设定的第一标准值进行比较，如果电压值VCEO1与电压值VCEO2的比值VCEO1/VCEO2小于或等于所述的第一标准值，则判定该三极管没有发生软击穿，否则，则判定该三极管发生了软击穿。。 【当前权利人】佛山市蓝箭电子股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省佛山市禅城区古新路45号 【家族被引证次数】10
