【摘要】 一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：将清洗处 理后的洁净的硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀氧化，使硅片表面生 成二氧化硅层；将刻蚀氧化后的硅片放入磁控溅射设备进行银颗粒溅 射沉积，使硅片表面形成掩膜；待温度降至40℃以下后将硅片取出， 再次将硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀，即可制得纳米棒阵列。本 发明的优点是：该方法具有工艺简单、速度快、成本低、易于大面积 制备等明显优势；制备的纳米棒阵列形貌均匀，其长度约为200nm， 平均直径为20nm～80nm且可控，在存储器、分子实验、新型LED研 发、敏感器件研发、显示器件研发、纳米压印模板制作等领域都有良 好的应用前景。 【专利类型】发明申请 【申请人】国家纳米技术与工程研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】300457天津市经济技术开发区第四大街80号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】滨海新区 【申请号】CN200810053809.5 【申请日】2008-07-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625973A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】张艳富; 俞晓正; 范洪涛; 许博 【主权项内容】1.一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于包括以下步 骤：1)将清洗处理后的洁净的硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀氧 化，使硅片表面生成二氧化硅层； 2)将刻蚀氧化后的硅片放入磁控溅射设备进行银颗粒溅射沉积， 使硅片表面形成掩膜； 3)待温度降至40℃以下后将硅片取出，再次将硅片放入反应 离子刻蚀机进行刻蚀，即可制得纳米棒阵列。 【当前权利人】国家纳米技术与工程研究院 【当前专利权人地址】天津市经济技术开发区第四大街80号 【统一社会信用代码】12100000717813391U 【被引证次数】9 【家族被引证次数】9
