【摘要】 本发明公开了一种高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用。所述的氧化石墨烯，该氧化石墨烯片层厚度为0.35～20nm，比表面积为200～800m2/g，电化学比容量达到50～220F/g。其制备方法将氧化石墨在高真空下以一定升温速率升温至150～600℃，维持恒温0.5～20h，得到氧化石墨烯。该材料用于超级电容器电极材料。本发明具有如下优点：制备过程简单，制备温度低，且易于操作，能量消耗低。 【专利类型】发明授权 【申请人】天津大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300072 天津市南开区卫津路92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810151807.X 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101367516B 【公开公告日】2010-08-04 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101367516B 【授权公告日】2010-08-04 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/02 【发明人】杨全红; 吕伟; 孙辉 【主权项内容】一种高电化学容量氧化石墨烯的制备方法，所述的氧化石墨烯片层厚度为0.35～20nm，比表面积为200～800m2/g，电化学比容量达到50～220F/g，其特征在于包括以下过程：在真空度0.01Pa～10kPa下，将氧化石墨以5～50℃/min的升温速率升温到150～600℃进行高真空热处理，维持恒温0.5～20h，氧化石墨体积迅速膨胀，得到氧化石墨烯材料。 【当前权利人】深圳清研紫光科技有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区西乡街道桃花源科技创新园B栋孵化楼607 【统一社会信用代码】12100000401359321Q 【被引证次数】23 【被自引次数】12.0 【被他引次数】11.0 【家族被引证次数】63
