【摘要】 一种单内电极片式电容器，属于电子元器件技术领域，涉及电容器及其制造方法，特别涉及小容量片式电容器及其制造方法。包括端电极、内电极和电介质材料，所述电介质材料为多层陶瓷层体，所述内电极为多层内电极；所述陶瓷层体和内电极交错层叠在一起，两端封端形成端电极；所述内电极为单内电极，只与其中一个端电极相连。所述单内电极为采用印刷工艺印制在所述陶瓷层体表面的内电极。所述陶瓷层体和内电极的层叠数量以及内电极的面积可根据所需电容器容量大小而调整。本发明实现容量较无内电极的电容器大，且较传统叉指电容的多层片式并联结构的片式电容器的小，其制造方法与常规片式电容器的制造方法一致。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810046264.5 【申请日】2008-10-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101404205B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101404205B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01G4/005; H01G4/12; H01G4/228; H01G4/30 【发明人】王浩勤; 曾志毅; 杨邦朝; 徐自强; 尉旭波; 游钦禄; 练马林; 唐伟 【主权项内容】一种单内电极片式电容器，包括端电极、内电极和电介质材料，所述电介质材料为多层陶瓷层体，所述内电极为多层内电极；所述陶瓷层体和内电极交错层叠在一起，两端封端形成端电极；其特征在于，所述内电极为单内电极，即所有内电极均与同一个端电极相连。 【当前权利人】成都成电电子信息技术工程有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市高新区(西区)西区大道199号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0
