【摘要】 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供一硅质基材； 蚀刻硅质基材，以形成环形孔及硅质柱状体，环形孔环绕硅质柱状体；设置感光材料 于环形孔内，其中感光材料具有绝缘性；移除硅质柱状体，以使环形孔形成圆形孔， 且感光材料设置于圆形孔的孔壁；以及设置导电材料于圆形孔内，导电材料的外侧表 面被感光材料环绕。 【专利类型】发明申请 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810133407.6 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625985A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625985B 【授权公告日】2012-01-04 【授权公告年份】2012.0 【发明人】王盟仁; 陈建宇 【主权项内容】1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供硅质基材； 蚀刻所述硅质基材，以形成环形孔及硅质柱状体，所述环形孔环绕所述硅质 柱状体； 设置感光材料于所述环形孔内，其中所述感光材料具有绝缘性； 移除所述硅质柱状体，以使所述环形孔形成圆形孔，且所述感光材料设置于 所述圆形孔的孔壁；以及 设置导电材料于所述圆形孔内，所述导电材料被所述感光材料环绕。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【被引证次数】5 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】5
