【摘要】 本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方 法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：配置氢氧化铵腐蚀液；步骤2： 在衬底上制作一层光刻胶；步骤3：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案； 步骤4：将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽， 取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干；步骤5：将吹干后的衬底用 丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116041.1 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620999A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/308; H01L21/02 【发明人】鞠研玲; 杨晓红; 韩勤 【主权项内容】1、一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其 特征在于，包括如下步骤： 步骤1：配置氢氧化铵腐蚀液； 步骤2：在衬底上制作一层光刻胶； 步骤3：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案； 步骤4：将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型 槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干； 步骤5：将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完 成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】6 【被自引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】6
