【摘要】 一种场发射阴极装置，其包括：一绝缘基底；多个条形阴极电极，该条 形阴极电极平行且间隔设置于该绝缘基底表面；多个场发射单元，该多个场 发射单元间隔设置于多个条形阴极电极表面与条形阴极电极电连接并呈矩 阵排列；一介质层，该介质层设置于绝缘基底表面，覆盖上述多个条形阴极 电极的部分区域，并相对于每个场发射单元设有通孔；多个条形栅网，该条 形栅网平行且间隔设置，并与条形阴极电极异面垂直，每个条形栅网覆盖介 质层的多个通孔；其中，所述的多个栅网设置于介质层中，覆盖通孔的栅网 的四周由介质层固定。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810142525.3 【申请日】2008-07-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635239A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635239B 【授权公告日】2011-03-30 【授权公告年份】2011.0 【发明人】郝海燕; 潜力; 柳鹏; 刘亮; 蔡琪; 范守善 【主权项内容】1.一种场发射阴极装置，其包括： 一绝缘基底； 多个条形阴极电极，该条形阴极电极平行且间隔设置于该绝缘基底表面； 多个场发射单元，该多个场发射单元间隔设置于多个条形阴极电极表面与 条形阴极电极电连接并呈矩阵排列； 一介质层，该介质层设置于绝缘基底表面，覆盖上述多个条形阴极电极的 部分区域，并相对于每个场发射单元设有通孔； 多个条形栅网，该条形栅网平行且间隔设置，并与条形阴极电极异面垂直， 每个条形栅网覆盖介质层的多个通孔； 其特征在于，所述的多个条形栅网设置于介质层中，覆盖通孔的栅网的四 周由介质层固定。 ： 【当前权利人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室; 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 914403007084307436 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】8
