【摘要】 本发明公开了一种用于表征硅与二氧化硅界面特性的光学系统，包括：由硅材料与二氧化硅材料形成的待测样品，该待测样品中具有一硅材料与二氧化硅材料形成的界面；位于待测样品靠近二氧化硅材料一侧的激光产生装置，用于产生向待测样品以一定角度入射的入射激光；位于入射激光光路上的掩蔽物开关，用于掩蔽或允许入射激光向待测样品入射；位于入射激光经待测样品中界面反射后形成的反射激光光路上的棱镜，用于分离不同波长的反射激光，使波长为400nm的反射激光入射到光电倍增管；位于棱镜出射激光光路上的光电倍增管，用于接收棱镜分离出的波长为400nm的反射激光。本发明同时公开了一种用于表征硅与二氧化硅界面特性的光学方法。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810224907.0 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101726496A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G01N21/88; G01N21/17; H01L21/66 【发明人】毕津顺; 海潮和; 韩郑生 【主权项内容】一种用于表征硅与二氧化硅界面特性的光学系统，其特征在于，该系统包括：由硅材料与二氧化硅材料形成的待测样品(1)，该待测样品(1)中具有一硅材料与二氧化硅材料形成的界面；位于待测样品(1)靠近二氧化硅材料一侧的激光产生装置(2)，用于产生向待测样品(1)以一定角度入射的入射激光；位于入射激光光路上的掩蔽物开关(7)，用于掩蔽或允许入射激光向待测样品(1)入射；位于入射激光经待测样品(1)中界面反射后形成的反射激光光路上的棱镜(5)，用于分离不同波长的反射激光，使波长为400nm的反射激光入射到光电倍增管(6)；位于棱镜(5)出射激光光路上的光电倍增管(6)，用于接收棱镜(5)分离出的波长为400nm的反射激光。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
