【摘要】 一种电荷泵电路，包括开关单元，适于实现电荷从电荷泵输入端到电荷泵输出端的传输；传输单元，适于控制开关单元中MOS管导通或截止；与开关单元中的PMOS管一一对应匹配的充电单元，适于存储电荷，以提升传输电压。本发明实施方式采用第一NMOS管和至少一个PMOS管作为电荷传输过程中的开关单元，在较低的电源电压工作条件下，能够正常工作，并且具有较高的传输效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810172764.3 【申请日】2008-12-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101753012A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101753012B 【授权公告日】2012-10-31 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H02M3/07; H02M3/04 【发明人】李明; 吴庆阳; 杨立吾; 王阳元 【主权项内容】一种电荷泵电路，其特征在于，包括：开关单元，适于实现电荷从电荷泵输入端到电荷泵输出端的传输，包括第一NMOS管和至少二个PMOS管，各个PMOS管串联耦接，所述第一NMOS管的输出极与首个PMOS管的输入极耦接，所述第一NMOS管的输入极为所述电荷泵电路的输入端，所述末个PMOS管的输出极为所述电荷泵电路的输出端；传输单元，包括至少二级子传输单元，每级所述子传输单元串联耦接，其中第一级子传输单元适于控制开关单元中第一NMOS管和首个PMOS管的导通或截止，其它级所述子传输单元依次与开关单元中的其它所述PMOS管一一对应匹配，控制所述匹配PMOS管的导通或截止；至少二级充电单元，适于存储电荷，以提升传输电压，每级所述充电单元与开关单元中的所述PMOS管一一对应匹配。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】16 【被自引次数】1.0 【被他引次数】15.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】16
