【摘要】 一种PLDD掺杂区的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底具有初始温度；对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度，并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；其中，所述第一温度小于或等于550℃。本发明还提供一种PMOS器件的制造方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810205395.3 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770953A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770953B 【授权公告日】2012-07-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】何永根; 周祖源; 刘佑铭 【主权项内容】一种PLDD掺杂区的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底具有初始温度；对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度，并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；其中，所述第一温度小于或等于550℃。 微信 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0
