【摘要】 本发明公开了一种在SONOS产品中制备ONO结构的方法，该方法在硅衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构之后，包括如下步骤：1)依次淀积下层氧化膜、中间氮化膜层和上层氧化膜，光刻形成光刻胶图案；2)采用湿法刻蚀刻蚀上层氧化膜；3)光刻胶的侧向裁减；4)等离子刻蚀工艺刻蚀中间氮化膜层；5)湿法刻蚀去除下层氧化膜，最后去除光刻胶。本发明的方法消除原有工艺中氮化膜残留的问题，有利于提高ONO工艺制程的窗口。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043327.1 【申请日】2008-05-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101577250B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101577250B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8232; H01L21/28; H01L21/311; H01L21/336 【发明人】吕煜坤; 杨华; 孙娟 【主权项内容】一种在SONOS产品中制备ONO结构的方法，其特征在于，在硅衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构之后，包括如下步骤：1)在硅衬底上依次淀积下层氧化膜、中间氮化膜层和上层氧化膜，涂覆光刻胶并光刻形成光刻胶图案；2)采用湿法刻蚀刻蚀所述上层氧化膜；3)光刻胶的侧向裁减，使光刻胶断口的侧向尺寸与上层氧化膜断口的侧向尺寸一致；4)等离子刻蚀工艺刻蚀中间氮化膜层，刻蚀停止在下层氧化膜内；5)湿法刻蚀去除下层氧化膜，最后去除光刻胶。 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【引证次数】1.0 【自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
