【摘要】 本实用新型公开了一种大功率发光二极管光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内，所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。本实用新型还公开了一种具有上述大功率发光二极管光源装置的灯具。 ： 【专利类型】实用新型 【申请人】宁波安迪光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400浙江省余姚市西南街道工业功能区 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN200620048103.6 【申请日】2006-11-23 【申请年份】2006 【公开公告号】CN200979881Y 【公开公告日】2007-11-21 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN200979881Y 【授权公告日】2007-11-21 【授权公告年份】2007.0 【IPC分类号】H01L25/00; H01L25/075; F21S4/00; F21Y101/02; F21K9/20; F21V19/00; F21Y115/10 【发明人】占贤武; 孟世界 【主权项内容】1.一种大功率发光二极管光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片 及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述 基座上设置的若干凹陷部内，其特征在于：所述凹陷部由第一凹陷部和第二 凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部 之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间 形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有 发光粉层。 【当前权利人】宁波安迪光电科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省余姚市西南街道工业功能区 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】913302817723322325 【引证次数】1.0 【被引证次数】5 【他引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5
