【摘要】 本实用新型公开了一种大功率发光二极管封装结构，包括一具有一支架的基座、至少一发光二极管芯片，一用于连接外电源的电连接装置，所述发光二极管芯片与该电连接装置电性连接，其特征在于：所述支架具有由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。 【专利类型】实用新型 【申请人】宁波安迪光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400浙江省余姚市西南街道工业功能区 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN200620048104.0 【申请日】2006-11-23 【申请年份】2006 【公开公告号】CN200972865Y 【公开公告日】2007-11-07 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN200972865Y 【授权公告日】2007-11-07 【授权公告年份】2007.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L25/00; H01L25/075; H01L23/28; H01L23/12; H01L33/48 【发明人】占贤武; 孟世界 【主权项内容】1.一种大功率发光二极管封装结构，包括一具有一支架的基座、至少一 发光二极管芯片，一用于连接外电源的电连接装置，所述发光二极管芯片与 该电连接装置电性连接，其特征在于：所述支架具有由第一凹陷部和第二凹 陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之 第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形 成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发 光粉层。 【当前权利人】宁波安迪光电科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省余姚市西南街道工业功能区 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】913302817723322325 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
