【摘要】 一种大功率发光二极管光源，它主要由金属基 座、发光二极管芯片及发射体组成，所述的金属基座为一中空 的圆环状，多个发光二极管芯片对称地均布在圆环状金属基座 的外沿周边，在该圆环状金属基座的上下端各固连有一对称布 置的镜面反射体；所述的镜面反射体的反射面为抛物面旋转一 周形成的镜面，多个发光二极管芯片以等间距环状固定与圆环 状金属基座侧面反射面的底部，且刚好位于镜面抛物线的焦点 处；所述的发光二极管芯片采用高热导的金锡合金或锡片直接 焊接在圆环状金属基座上，或采用高热导的银浆或有机、无机 胶粘合；它具有很强的成本优势和性能优势，具有体积可以做 到最小，可以优化材料和人工成本，增加散热效果，能获得更 好的发光效率能够提高电能的使用效率等特点。 【专利类型】实用新型 【申请人】陈建华 【申请人类型】个人 【申请人地址】314100浙江省嘉善县经济开发区三期浙江三磊科技有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】嘉善县 【申请号】CN200620101293.3 【申请日】2006-02-27 【申请年份】2006 【公开公告号】CN2872075Y 【公开公告日】2007-02-21 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN2872075Y 【授权公告日】2007-02-21 【授权公告年份】2007.0 【IPC分类号】F21S4/00; F21V7/06; F21W111/00; F21Y101/02; F21K9/20; F21V19/00; F21Y115/10 【发明人】陈建华 【主权项内容】1、一种大功率发光二极管光源，它主要由金属基座、发光二极管芯片及发射体组成， 其特征在于所述的金属基座(1)为一中空的圆环状，多个发光二极管芯片(2)对称地均布在圆 环状金属基座(1)的外沿周边，在该圆环状金属基座(1)的上下端各固连有一对称布置的镜面 反射体(3)。 【当前权利人】陈建华 【当前专利权人地址】浙江省嘉善县经济开发区三期浙江三磊科技有限公司 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8
