【摘要】 本发明属于半导体材料清洁处理技术领域，特别 涉及对废硅料去除表层杂质的清洁工艺，按下列步骤完成：(1) 硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中；(2)捞取浸渍后的硅 料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4)测定 纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。经本发明清洁后的 废硅料完全清除了硅料表层的杂质和污物，符合制作半导体元 器件的材料要求，为缓解硅料资源紧缺作出了贡献。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】314117浙江省嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】嘉善县 【申请号】CN200610050725.7 【申请日】2006-05-12 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1947869A 【公开公告日】2007-04-18 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN1947869B 【授权公告日】2010-05-12 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B08B3/08; B08B3/02; B08B3/04; C23G1/02 【发明人】吴云才 【主权项内容】 。1、一种硅料清洁方法，其特征在于：按下列步骤完成： (1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中； (2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗； (3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水； (4)测定纯水浸泡液的电导率； (5)捞取硅料，烘干。 【当前权利人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330421753019961P 【被引证次数】36 【被自引次数】4.0 【被他引次数】32.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】36
