【摘要】 本发明属于硅料回收处理技术领域，特别涉及直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法，①将锅底硅料破碎至粒径为3～12mm的颗料状；②调配除杂溶液：氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7～9的比例混合置入耐酸槽中；③硅粒用耐酸篮盛放，沉浸入耐酸槽中，搅拌硅粒；④硅粒在耐酸槽的除杂溶液中浸泡1～2小时，从耐酸槽中移走；⑤用水冲洗耐酸篮内的硅粒，待冲洗液pH＝7，烘干硅粒。本发明利用物理方法结合化学方法，将锅底料中杂质富积区腐蚀而去除，得到符合太阳能级技术要求的硅料，使硅原料增加一条非常重要的。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】314117浙江省嘉善县姚庄镇工业园区宝群路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】嘉善县 【申请号】CN200610155648.1 【申请日】2006-12-30 【申请年份】2006 【公开公告号】CN101016155A 【公开公告日】2007-08-15 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100575254C 【授权公告日】2009-12-30 【授权公告年份】2009.0 【IPC分类号】C01B33/037; C30B29/06; C30B15/00; C01B33/00 【发明人】吴云才; 刘磊磊 【主权项内容】1、直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法，其特征在于： ①将锅底硅料破碎至粒径为3～12mm的颗料状； ②调配除杂溶液：氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7～9的比例混合置入 耐酸槽中； ③硅粒用耐酸篮盛放，沉浸入耐酸槽中，搅拌硅粒； ④硅粒在耐酸槽的除杂溶液中浸泡1～2小时，从耐酸槽中移走； ⑤用水冲洗耐酸篮内的硅粒，待冲洗液PH＝7，烘干硅粒。 【当前权利人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉善县姚庄镇工业园区宝群路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330421753019961P 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8
