【摘要】 本发明属于半导体材料清洗处理技术领域，特别 涉及对废硅料去除表面污物的废硅料清洗方法，包括下列步 骤：(1)硅料投放于碱液中浸泡；(2)待碱液中硅料上浮时，捞取 硅料，用纯水冲洗并沥干；(3)投放于第二个碱液中浸泡；(4) 待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(5)投放 于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡；(6)将中 和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡，捞取并烘干。经本发明 清洗后的废硅料完全清除了硅料表层的污染物，清洗过的废硅 料符合制作半导体元器件的清洁要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】314117浙江省嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】嘉善县 【申请号】CN200610050726.1 【申请日】2006-05-12 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1947870A 【公开公告日】2007-04-18 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN1947870B 【授权公告日】2011-01-19 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】B08B3/08; B08B3/02; B08B3/04; C23G1/14; C23G1/24; C23G1/00 【发明人】吴云才 【主权项内容】 1、一种废硅料清洗方法，其特征在于：包括下列步骤： (1)硅料投放于碱液中浸泡； (2)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干； (3)投放于第二个碱液中浸泡； (4)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干； (5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡； (6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡，捞取并烘干。 【当前权利人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330421753019961P 【被引证次数】19 【被自引次数】2.0 【被他引次数】17.0 【家族被引证次数】19
