【摘要】 本发明涉及一种晶体生长装置，尤其是一种采用 垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚 下降晶体生长系统，包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装 置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火 层、摩根砖、工字砖层和支撑架，其中耐火层位于炉膛附近高 温区，摩根砖位于炉膛中下部。这种电阻加热垂直多坩埚下降 晶体生长系统能同时生长多根乃至数十根晶体。 【专利类型】发明申请 【申请人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【申请人类型】学校,企业 【申请人地址】314000浙江省嘉兴市秀城区文昌路23号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】南湖区 【申请号】CN200610052784.8 【申请日】2006-08-04 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1920116A 【公开公告日】2007-02-28 【公开公告年份】2007 【发明人】万尤宝; 黄国松; 张建新 【主权项内容】1、一种电阻加热垂直多坩埚下降法晶体生长系统，包括晶体炉(1)、坩埚装置(19)、 晶体台(17)和温度控制装置(18)，其中晶体炉(1)包括炉体、发热体(2)和炉膛(3)，坩 埚装置(19)位于晶体台(17)上，用于置放生产晶体的原料，晶体台(17)位于晶体炉(1) 下方，在其自带的升降装置控制下能做垂直升降运动，将晶体台(17)上的装有原料的坩 埚装置(19)送入晶体炉(1)炉膛(3)内，温度控制装置(18)通过线缆连接发热体(2)，其 特征是：所述的晶体炉(1)炉体从外到内包括外壳(4)、保温棉(5)、保温砖层(6)、耐火 层(7)、摩根砖(8)、工字砖层(9)和炉体支撑架(11)，其中耐火层位于炉膛附近高温区， 摩根砖(8)位于炉膛中下部；所述的坩埚装置(19)包括导向管(20)、保温粉(21)、坩埚 (22)、坩埚(22)内的熔体(23)以及籽晶(24)和正在生长的晶体(25)；所述的温度控制装 置包括单片机(12)、可控硅(13)、温度传感器(14)和变压器(15)，其中单片机通过稳压 器(16)上的电源线接入电源，并通过信号线连接置于晶体炉(1)炉膛(3)内的温度传感器 (14)，及通过数据线连接计算机，受计算机程序控制，可控硅(13)通过信号线从单片机 (12)接入控制信号，通过电源线连接变压器(15)输出控制，变压器(15)通过电缆连接晶 体炉(1)上的发热体(2)。 【当前权利人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市秀城区文昌路23号; 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】12330000470009050B; 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
