【摘要】 本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法，特 点是将原料按照比例称量，充分混合，加压5～20KPa成需要 的形状，在800～1100℃温度下烧结；将烧结后的原料在有保 护气的氛围下的化料坩埚中化料，然后在密闭环境中将熔化后 的原料转入生长坩埚。本方法由于整个原料处理过程在密闭环 境中进行，适宜于有挥发性原料的预处理，特别适用于有毒气 体挥发的原料处理。 【专利类型】发明申请 【申请人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【申请人类型】学校,企业 【申请人地址】314001浙江省嘉兴市越秀南路56号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】南湖区 【申请号】CN200610116108.2 【申请日】2006-09-15 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1936106A 【公开公告日】2007-03-28 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100398701C 【授权公告日】2008-07-02 【授权公告年份】2008.0 【发明人】万尤宝; 刘俊星 【主权项内容】1.一种晶体生长原料处理方法，其特征在于包括如下步骤： (1)将原料按照比例称量，充分混合后，加压5～20KPa成需要 的形状，在800～1100℃温度下烧结； (2)烧结后的原料一部分转移到预先装有确定方向籽晶的生长 坩埚籽晶上部形成1-2厘米厚度籽晶保护层； (3)烧结后的原料另一部分转入化料坩埚后将坩埚上盖密闭， 将化料坩埚转移到化料炉后将化料坩埚抽气使之形成真空，然后再向 化料坩埚中通入保护气体，关闭化料炉门； (4)将生长坩埚套在化料坩埚的下料管上，保证二者之间的密 封性能够良好，并确保下料管上的开关关上；加热升至熔点化料，在 不对称温场中温差作用下混合均匀，原料熔化后恒温半小时； (5)将下料管开关打开，熔化后的原料沿下料管流入生长坩埚中， 将化料炉升高50℃左右使原料充分熔化能够在重力作用下完全流入 生长坩埚中，生长坩埚的下部在冷却水的作用下使熔料迅速凝固成多 晶料，在温度控制系统的作用下降温至室温，关闭下料管开关，移出 生长坩埚，整个原料处理过程结束。。 【当前权利人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市越秀南路56号; 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】12330000470009050B;
