【摘要】 本发明公开了一种钨酸铅晶体的制备方法，它包 括如下步骤：原料预处理；将预处理后的原料即 PbWO3注入置有籽晶的生长坩 埚，顶部预留0.1－0.6倍于晶体长度的空间，然后包装好；对 坩埚内预留空间部分进行抽真空，然后再注入1个大气压的氧 气，密封坩埚；将坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在 1200－1250℃，坩埚下降速率1mm/h；晶体生长结束后按30 ℃/h速度降温至950℃退火5小时；将生成的钨酸铅晶体在退 火炉中按照30℃/h升温至1000℃，恒温5小时使之退火，然 后再按照30℃/h降温至室温；将得到的钨酸铅晶体按照既定规 格切割、抛光即可得到成品。 【专利类型】发明申请 【申请人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】314001浙江省嘉兴市越秀南路56号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】南湖区 【申请号】CN200610116726.7 【申请日】2006-09-29 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1966782A 【公开公告日】2007-05-23 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100587130C 【授权公告日】2010-02-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/32; C30B11/00 【发明人】万尤宝 【主权项内容】1.一种钨酸铅晶体的制备方法，其特征在于包括如下步骤： (1)原料预处理：将纯度为99.99％的PbO和WO3原料在200℃恒温4小 时烘干除去水分，按照化学计量比称量，混合均匀后900℃预烧结，然后将烧 结后的原料在1200℃熔化后恒温半小时，混合均匀，生成PbWO3； (2)将预处理后的原料即PbWO3注入置有籽晶的生长坩埚，顶部预留 0.1-0.6倍于晶体长度的空间，然后包装好； (3)对坩埚内预留空间部分进行抽真空，然后再注入1个大气压的氧气， 密封坩埚； (4)将坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在1200-1250℃，坩埚 下降速率1mm/h； (5)晶体生长结束后按30℃/h速度降温至950℃退火5小时； (6)将生成的钨酸铅晶体在退火炉中按照30℃/h升温至1000℃，恒温5 小时使之退火，然后再按照30℃/h降温至室温； (7)将经过第5步处理的钨酸铅晶体按照既定规格切割、抛光即可得到 成品。 【当前权利人】嘉兴学院 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市越秀南路56号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】12330000470009050B; 【引证次数】2.0 【被引证次数】10 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
