【摘要】 本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将纯度为99.99％的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃－200℃干燥，然后，PbO和WO3按照化学计量比称量，掺杂剂的摩尔浓度为0.01％－0.1％，称量好的固体粉末在10KPa－50KPa压力下压制成致密块状固体，在750℃－1000℃氧化气氛中烧结，在密闭的充入氧气的铂金坩埚中1130℃－1200℃恒温半小时使之完全熔化；(2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内，形成致密多晶锭料，并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长，得到成品；其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。它不仅适用于掺杂易挥发的掺杂剂，同时也同样适用于掺杂没有挥发性的掺杂剂。 【专利类型】发明申请 【申请人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【申请人类型】学校,企业 【申请人地址】314001浙江省嘉兴市越秀南路56号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】南湖区 【申请号】CN200610117681.5 【申请日】2006-10-27 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1962965A 【公开公告日】2007-05-16 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100587131C 【授权公告日】2010-02-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/32; C30B11/00 【发明人】万尤宝; 刘俊星 【主权项内容】1.一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1)将纯度为99.99％的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃～200℃ 干燥，然后，PbO和WO3按照化学计量比称量，掺杂剂的摩尔浓 度为0.01％～0.1％，称量好的固体粉末在10Kpa～50Kpa压力下压 制成致密块状固体，在750℃～1000℃氧化气氛中烧结，在密闭的 充入氧气的铂金坩埚中1130℃～1200℃恒温半小时使之完全熔 化； 2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内，形成致密多晶锭 料，并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长，得到 成品；其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。 【当前权利人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市越秀南路56号; 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】12330000470009050B; 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
