【摘要】 本实用新型涉及一种全自动控制晶体生长装置。其炉膛内温度监测、控制和温场变化数据记录均全部可以编程实时控制。这种晶体生长装置，包括晶体炉、坩埚和晶体台及温度控制装置。其中温度控制装置包括单片机、可控硅、温度检测探头和变压器；单片机通过信号线连接置于晶体炉炉膛内的温度检测探头，通过数据线连接计算机，受计算机程序控制；可控硅通过信号线从单片机接入控制信号，通过电源线连接变压器输出控制；变压器通过电缆连接晶体炉上的发热体。本系统适用于晶体生长试验装置，也适用于规模化晶体生长生产。 【专利类型】实用新型 【申请人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【申请人类型】学校,企业 【申请人地址】310000浙江省嘉兴市文昌路23号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请号】CN200620105972.8 【申请日】2006-07-25 【申请年份】2006 【公开公告号】CN200952048Y 【公开公告日】2007-09-26 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN200952048Y 【授权公告日】2007-09-26 【授权公告年份】2007.0 【IPC分类号】C30B35/00 【发明人】万尤宝; 黄国松; 张建新 【主权项内容】1、一种程控晶体生长装置，包括晶体炉(1)、坩埚(4)和晶体台(5)， 其中晶体炉(1)包括炉体、发热体(2)和炉膛(3)，坩埚(4)位于晶体台(5)上， 用于置放生产晶体的原料，晶体台(5)位于晶体炉(1)下方，在其自带的升 降装置控制下能做垂直升降运动，将晶体台(5)上的装有原料的坩埚(4)送 入晶体炉(1)炉膛(3)内，其特征是：该晶体生长装置还包括一个温度控制 装置，通过线缆连接发热体(2)。 【当前权利人】嘉兴学院; 嘉兴市晶英光电子技术有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市文昌路23号; 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】12330000470009050B; 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
