【摘要】 本实用新型涉及一种晶体生长装置，尤其是一种采用垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统，包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火层、摩根砖、工字砖层和支撑架，其中耐火层位于炉膛附近高温区，摩根砖位于炉膛中下部。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统能同时生长多根乃至数十根晶体。 【专利类型】实用新型 【申请人】嘉兴学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】310000浙江省嘉兴市文昌路23号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请号】CN200620107455.4 【申请日】2006-09-07 【申请年份】2006 【公开公告号】CN200988868Y 【公开公告日】2007-12-12 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN200988868Y 【授权公告日】2007-12-12 【授权公告年份】2007.0 【IPC分类号】C30B11/00 【发明人】万尤宝; 黄国松; 张建新 【主权项内容】1、一种电阻加热垂直多坩埚下降法晶体生长系统，包括晶体炉(1)、坩埚装置(19)、 晶体台(17)和温度控制装置(18)，其中晶体炉(1)包括炉体、发热体(2)和炉膛(3)，坩 埚装置(19)位于晶体台(17)上，用于置放生产晶体的原料，晶体台(17)位于晶体炉(1) 下方，在其自带的升降装置控制下能做垂直升降运动，将晶体台(17)上的装有原料的坩 埚装置(19)送入晶体炉(1)炉膛(3)内，温度控制装置(18)通过线缆连接发热体(2)，其 特征是：所述的晶体炉(1)炉体从外到内包括外壳(4)、保温棉(5)、保温砖层(6)、耐火 层(7)、摩根砖(8)、工字砖层(9)和炉体支撑架(11)，其中耐火层位于炉膛附近高温区， 摩根砖(8)位于炉膛中下部；所述的坩埚装置(19)包括导向管(20)、保温粉(21)、坩埚 (22)、坩埚(22)内的熔体(23)以及籽晶(24)和正在生长的晶体(25)；所述的温度控制装 置包括单片机(12)、可控硅(13)、温度传感器(14)和变压器(15)，其中单片机通过稳压 器(16)上的电源线接入电源，并通过信号线连接置于晶体炉(1)炉膛(3)内的温度传感器 (14)，及通过数据线连接计算机，受计算机程序控制，可控硅(13)通过信号线从单片机 (12)接入控制信号，通过电源线连接变压器(15)输出控制，变压器(15)通过电缆连接晶 体炉(1)上的发热体(2)。 【当前权利人】嘉兴学院 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市文昌路23号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12330000470009050B 【引证次数】2.0 【被引证次数】3 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3
