【摘要】 本发明公开了一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保 温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3－5/6；发热体位于炉膛1/4－1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本发明能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。 【专利类型】发明申请 【申请人】万尤宝 【申请人类型】个人 【申请人地址】314001浙江省嘉兴市大树金港湾小区4栋604 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请号】CN200610148319.4 【申请日】2006-12-29 【申请年份】2006 【公开公告号】CN101008101A 【公开公告日】2007-08-01 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100422393C 【授权公告日】2008-10-01 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】C30B11/00 【发明人】万尤宝 【主权项内容】1、一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装 置，其中晶体炉包括炉体、炉膛和发热体；炉体从外到内依次包括外壳、保 温棉层、保温砖层和耐火层，其特征在于：所述的耐火层高度为炉膛总高度 的2/3-5/6；所述的发热体位于炉膛1/4-1/2高度处。 【当前权利人】嘉兴学院 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市越秀南路56号 【引证次数】3.0 【被引证次数】3 【他引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】6
