【摘要】 一种温梯法旋转多坩埚晶体生长系统，包括晶体炉，坩埚及其支撑装置和温度控制装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层；坩埚支撑装置包括升降台，位于升降台上的多个坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管，与升降台连接的引下装置，与引下装置连接的升降电机和电源，导向管支架和导向管之间设置有紧固装置，坩埚置于坩埚导向管内；其中所述的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置，所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3－5/6；所述的发热体位于炉膛1/4－1/2高度处。本发明能促进晶体掺杂，并且使掺杂能够均匀。 【专利类型】发明申请 【申请人】万尤宝 【申请人类型】个人 【申请人地址】314001浙江省嘉兴市大树金港湾小区4栋604 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请号】CN200610148317.5 【申请日】2006-12-29 【申请年份】2006 【公开公告号】CN101008100A 【公开公告日】2007-08-01 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN101008100B 【授权公告日】2010-05-19 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B11/00 【发明人】万尤宝 【主权项内容】 1.一种温梯法旋转多坩埚晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其支撑装 置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、 保温棉层、保温砖层和耐火层；坩埚支撑装置包括升降台，位于升降台 上的多个坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管，与升降台连接 的引下装置，与引下装置连接的升降电机和电源，导向管支架和导向管 之间设置有紧固装置，坩埚置于坩埚导向管内；其特征在于： 所述的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置，每个导向管支架的 下端设置有旋转轴，旋转轴贯穿升降台，旋转轴下端伸出升降台的部分 分别连接有互相啮合的齿轮，其中一个旋转轴比其它旋转轴长，该较长 旋转轴上的齿轮通过联轴器连接一固定在升降台上的旋转电机； 所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6； 所述的发热体位于炉膛1/4-1/2高度处。 【当前权利人】嘉兴学院 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市越秀南路56号 【引证次数】1.0 【被引证次数】8 【他引次数】1.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】15.0 【家族被引证次数】14
