【摘要】 本发明涉及一种产生具有三种折射率的等离子体光子晶体的方法，它是采用如下放电装置实现的：放电装置的基本结构包括对称设置的两个密闭的电介质容器，两个容器中间设置放电间隙，容器内设置放电电极引线，容器内注入水形成放电电极；通过改变放电条件包括改变外加电压的频率、幅度以及放电间隙边界的形状、纵横比，放电将产生周期数不同、晶格常数不等的具有三种折射率的等离子体光子晶体结构。由于等离子体通道内的电子密度均在1015cm□3量级，理论研究表明如此高的电子密度足以能够使等离子体光子晶体出现带隙结构，阻止某些频率光的传播，起到频率选择性光开关作用，在工业领域具有广泛的应用前景。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】河北大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】071002河北省保定市五四东路180号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】莲池区 【申请号】CN200610102333.0 【申请日】2006-12-28 【申请年份】2006 【公开公告号】CN101013163A 【公开公告日】2007-08-08 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100434935C 【授权公告日】2008-11-19 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】G02B1/02; H01S3/00 【发明人】董丽芳; 范伟丽; 陈文军; 贺亚峰 【主权项内容】1、一种产生具有三种折射率的等离子体光子晶体的方法，其特征 在于：它是采用如下放电装置实现的：放电装置的基本结构包括对称设 置的两个密闭的电介质容器，两个容器中间设置放电间隙(6)，容器内 设置放电电极引线(4)，容器内注入水(5)形成放电电极；通过改变放 电条件包括改变外加电压的频率、幅度以及放电间隙(6)边界(7)的 形状、纵横比，放电将产生周期数不同、晶格常数(α)不等的具有三 种折射率的等离子体光子晶体结构。 【当前权利人】河北大学 【当前专利权人地址】河北省保定市五四东路180号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12130000401705060U 【被引证次数】33 【被自引次数】31.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】33
