【摘要】 本发明公开了一种常压烧结碳化硅制品的快速烧结法，A.在900℃以前，无论产品形状大小为何，均可按12～15℃/分钟的速度升温；B.900℃以后，可按15～18℃/分钟的速度快速升温至1600℃，并保温0～5分钟；C.而后再按8～10℃/分的速度升温至2300℃，保温25～30分钟，即完成烧结，得到产品密度平均在3.10～3.15g/cm3之间。按照本发明烧结方法，每炉的碳化硅制品烧结时间在4－6小时即可完成，同时保证产品质量，既不过烧、不欠烧，产品密度平均在3.10－3.15g/cm3之间。生坯成型碳化硅制品中的成型助剂在800℃前全部分解挥发，其残余量为氮、碳，大大提高了烧成成品质量，达到了节能高效常压烧结碳化硅制品的目的。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州华硕精密陶瓷有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450001河南省郑州市高新技术产业开发区桃花里5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请号】CN200610107002.6 【申请日】2006-09-07 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1915810A 【公开公告日】2007-02-21 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100402423C 【授权公告日】2008-07-16 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】C01B31/36 【发明人】蔡鸣 【主权项内容】1、一种常压烧结碳化硅制品的快速烧结法，其特征在于： A、在900℃以前，无论产品形状大小为何，均可按12～15℃/分钟的速度升 温； B、900℃以后，可按15～18℃/分钟的速度快速升温至1600℃，并保温0～5 分钟； C、而后再按8～10℃/分的速度升温至2300℃，保温25～30分钟，即完成烧 结，得到产品密度平均在3.10～3.15g/cm3之间。 【当前权利人】上海华硕精瓷陶瓷股份有限公司 【当前专利权人地址】上海市松江区佘山镇成业路301号1幢 【专利权人类型】有限责任公司 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
