【摘要】 本实用新型公开了一种以Ni－Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括陶瓷基片，Ni－Cu膜、Ag膜，其主要特征在于陶瓷基片镀Ni－Cu膜基底后再镀Ag膜而成。本实用新型的优点是镀膜质量高，附着力强，能适应无铅焊接工艺要求，产品能满足含铅元器件限制国家安全环保要求。 微信 【专利类型】实用新型 【申请人】周水军; 姚剑浩; 邹军敏 【申请人类型】个人 【申请人地址】338000江西省新余市北湖西路66号长城铜产品开发有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】新余市 【申请人区县】渝水区 【申请号】CN200620116890.3 【申请日】2006-05-18 【申请年份】2006 【公开公告号】CN2929971Y 【公开公告日】2007-08-01 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN2929971Y 【授权公告日】2007-08-01 【授权公告年份】2007.0 【IPC分类号】H01L41/04; H01L41/00 【发明人】周水军; 姚剑浩; 邹军敏; 王国文 【主权项内容】1、一种以Ni-Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括陶瓷基片、 Ni-Cu膜、Ag膜，其特征在于陶瓷基片上下表面覆盖Ni-Cu膜基底后再覆盖 Ag膜而成。 【当前权利人】周水军; 姚剑浩; 邹军敏 【当前专利权人地址】江西省新余市北湖西路66号长城铜产品开发有限公司; ;
