【摘要】 本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳极氧化层的表面还生长有透明金属电极层，形成一对透明金属电极。与普通的单肖特基p－n结碲铟汞光电探测器相比，本发明可显著减小探测器的结电容，提高器件的响应速度、扩展工作带宽并提高灵敏度。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国空空导弹研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】471009河南省洛阳市解放路166号 【申请人地区】中国 【申请人城市】洛阳市 【申请人区县】西工区 【申请号】CN200610017666.3 【申请日】2006-04-19 【申请年份】2006 【公开公告号】CN101060142A 【公开公告日】2007-10-24 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100499181C 【授权公告日】2009-06-10 【授权公告年份】2009.0 【IPC分类号】H01L31/08 【发明人】孙维国; 鲁正雄; 张亮; 赵岚; 成彩晶; 赵鸿燕 【主权项内容】1、一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长 有钝化保护层，其特征在于：在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻 槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有碲铟汞本征氧化层 和透明金属电极。 【当前权利人】中国空空导弹研究院 【当前专利权人地址】河南省洛阳市解放路166号 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
