【摘要】 本发明公开了一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置的筒形热场装置，热场装置内对应于保温层上的视窗在反应室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。本发明用一个反应室来完成掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长过程，使设备简化，制造容易，晶体生长成本低，而且只用一个加热体热稳定性好，成晶率高。 【专利类型】发明申请 【申请人】新乡市神舟晶体科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】453000河南省新乡市南环路李村新村 【申请人地区】中国 【申请人城市】新乡市 【申请人区县】新乡县 【申请号】CN200610017717.2 【申请日】2006-04-28 【申请年份】2006 【公开公告号】CN101063233A 【公开公告日】2007-10-31 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN101063233B 【授权公告日】2011-04-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C30B29/42; C30B25/00; C30B29/10 【发明人】李百泉; 郑松龄 【主权项内容】1、一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置 的筒形热场装置，其特征在于：热场装置内对应于保温层上的视窗在反应 室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。。 【当前权利人】新乡市神舟晶体科技发展有限公司 【当前专利权人地址】河南省新乡市南环路李村新村 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】914107007708524293 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
