【摘要】 一种氧化锰沉积提高碳纳米管比容的方法，通过 在碳纳米管(CNTs)的表面沉积氧化锰，引进赝电容，从而提高 碳纳米管的比容。本发明通过对沉积材料的选择及对沉积工艺 的控制，制备了性能优良的碳纳米管—氧化锰复合材料，大幅 度地提高了碳纳米管的比容，有效地解决了碳纳米管的低比容 值问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】江西财经大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】330013江西省南昌市枫林大道3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南昌市 【申请人区县】青山湖区 【申请号】CN200610019320.7 【申请日】2006-06-09 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1897183A 【公开公告日】2007-01-17 【公开公告年份】2007 【IPC分类号】H01G9/058; H01G9/042; H01G13/00; B22F9/16; H01G11/86 【发明人】邓梅根; 方勤; 冯义红; 杨邦朝 【主权项内容】1、一种氧化锰沉积提高碳纳米管比容的方法，其特征在于CNTs-MnO2复合材料的制备过程为：准确称取2g去除了催化剂粒子的CNTs加入到浓度 为0.1～0.3mol/L的MnSO4溶液中，搅拌吸附2h，然后逐滴加入浓度为0.05～ 0.2mol/L的KMnO4溶液，在搅拌下反应10～20h，用去离子水反复冲洗、过 滤，干燥，然后用玛瑙研钵充分研磨，得到CNTs-MnO2复合电极材料，复合 材料中MnO2的质量分数控制为50～60％。 ： 【当前权利人】江西财经大学 【当前专利权人地址】江西省南昌市枫林大道3号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12360000491018247J
