【摘要】 本发明公开了一种大幅提高抗静电特性的发光二极管器件，由于GaN基发光器件对静电敏感，所以使用时存在诸多问题。本发明在不影响GaN基发光器件的发光特点的同时，保护器件免受静电放电的伤害。 【专利类型】发明申请 【申请人】廊坊清华科技园光电有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】065001河北省廊坊市经济技术开发区金源道清华科技园1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】廊坊市 【申请号】CN200610167499.0 【申请日】2006-12-28 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1996628A 【公开公告日】2007-07-11 【公开公告年份】2007 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】金英镐; 金学峰; 崔珉镐 【主权项内容】 。1.一种由衬底、N层、活性层、P层、发光层组成的GaN基发光器件，其特征在于：部分N层和部分P层 利用导体实现电连接的发光器件。 【当前权利人】廊坊清华科技园光电有限公司 【当前专利权人地址】河北省廊坊市经济技术开发区金源道清华科技园1号
